据报道，中国计划在2025年第三季度启动极紫外（EUV）光刻设备的试生产。这些国产设备预计将采用激光诱导放电等离子体（LDP）技术，这与ASML公司使用的激光产生等离子体（LPP）方法略有不同。 由于受到美国贸易制裁的影响，ASML无法向任何中国企业提供最先进的EUV设备，这对包括中芯国际（SMIC）在内的中国半导体行业造成了重大影响。尽管SMIC已成功制造...