外媒报道：突破封锁，中国自主研发芯片制造EUV设备即将进入试生产

据报道，中国计划在2025年第三季度启动极紫外（EUV）光刻设备的试生产。这些国产设备预计将采用激光诱导放电等离子体（LDP）技术，这与ASML公司使用的激光产生等离子体（LPP）方法略有不同。

由于受到美国贸易制裁的影响，ASML无法向任何中国企业提供最先进的EUV设备，这对包括中芯国际（SMIC）在内的中国半导体行业造成了重大影响。尽管SMIC已成功制造出5纳米晶圆，但由于成本高昂和产量低的问题，大规模生产仍面临挑战。这对依赖于先进制程的华为来说，也是一个巨大的障碍。

最新报告显示，中国的专家们正致力于开发自主的EUV设备，并预计在2025年第三季度开始试生产。这一进展对于摆脱对美国影响下的公司的依赖至关重要。此外，据X账号@zephyr_z9和@Ma_WuKong分享的图片显示，在华为东莞的研发中心正在进行新系统的测试。

这种新型EUV光源能够产生波长为13.5纳米的光线，满足了光刻市场的需要。相比于ASML复杂的现场可编程门阵列控制技术和高能激光器，基于LDP技术的原型机设计更加简洁、体积更小且能耗更低，制造成本也相对较低。

在此之前，中国及SMIC不得不依赖于老旧的深紫外（DUV）设备进行生产。然而，随着国产EUV设备的逐步成熟，预计从2026年开始实现大规模量产，这将极大地提升中国在全球半导体市场的竞争力，并使SMIC和华为等企业能够跨越当前的技术瓶颈。