台积电公布"三连击"路线图，2纳米后还有A16/N2P/N2X三箭齐发

在近日举行的2025年北美技术研讨会上，台积电公布了令业界振奋的先进制程进展。全球首个采用全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管的2纳米级N2工艺将于今年下半年如期投入量产，这标志着半导体制造技术迈入全新纪元。更令人期待的是，其衍生版本A16和N2P工艺已确定将于2026年接续投产，而面向极致性能需求的N2X工艺则计划在2027年登场。

技术突破：
N2工艺相较当前N3E实现了全方位提升：性能增幅达10-15%，功耗降低25-30%，晶体管密度提升15%。其创新的GAA纳米片结构通过360度环绕沟道，显著提升了栅极控制能力。更值得关注的是，该工艺首次集成超高性能金属-绝缘体-金属(SHPMIM)电容器，使电容密度翻倍，同时将薄层电阻和通孔电阻降低50%，为芯片性能与能效带来实质性飞跃。

量产进程：
• 2025年下半年：N2工艺正式量产
• 2026年下半年：A16与N2P工艺投产
• 2027年：N2X工艺问世

产品布局：
首波N2工艺将应用于多领域旗舰产品，包括AMD下一代EPYC"威尼斯"数据中心处理器，以及苹果2025年全线移动设备芯片。据台积电透露，目前256Mb SRAM模块良率已超90%，制程成熟度达到量产标准。

未来展望：
A16工艺预计将在N2P基础上进一步降低功耗15-20%，提升性能8-10%。而面向高性能计算的N2X工艺将带来额外10%的性能提升。这一系列创新将巩固台积电在先进制程领域的领导地位，为AI、HPC等前沿应用提供强大支撑。